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NCP1607
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5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(For typical values, T
J
 = 25癈. For min/max values, T
J
 = 40癈 to +125癈, unless otherwise specified,
V
CC
 = 12 V, V
FB
 = 2.4 V, V
CS
 = 0 V, V
CONTROL
 = open, V
ZCD
 = open, C
DRV
 = 1 nF, C
T
 = 1 nF)
Characteristics
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
Current Capability of the Negative Active Clamp:
in normal mode (V
ZCD
 = 300 mV)
in shutdown mode (V
ZCD
 = 100 mV)
I
CL(NEG)
2.5
35
3.7
70
5.0
100
mA
mA
Shutdown Threshold (V
ZCD
 falling)
V
SDL
150
205
250
mV
Enable Threshold (V
ZCD
 rising)
V
SDH

290
350
mV
Shutdown Comparator Hysteresis
V
SD(HYS)

85

mV
Zero Current Detection Propagation Delay
t
ZCD

100
170
ns
Minimum Detectable ZCD Pulse Width
t
SYNC

70

ns
Drive off Restart Timer
t
START
75
179
300
ms
RAMP CONTROL
Ct Charge Current (V
CT
 = 0 V)
25癈 < T
J
 < +125癈
40癈 < T
J
 < +125癈
I
CHARGE
243
235
270
270
297
297
mA
Time to discharge a 1 nF Ct capacitor from V
CT
 = 3.4 V to 100 mV.
t
CT(discharge)


100
ns
Maximum Ct level before DRV switches off
25癈 < T
J
 < +125癈
40癈 < T
J
 < +125癈
V
CTMAX
2.9
2.9
3.2
3.2
3.3
3.4
V
PWM Propagation Delay
t
PWM

142
220
ns
OVER AND UNDERVOLTAGE PROTECTION
Dynamic Overvoltage Protection (OVP) Triggering Current:
T
J
 = 25癈
T
J
 = 40癈 to +125癈
I
OVP
9.0
8.7
10.5

11.8
12.1
mA
Hysteresis of the dynamic OVP current before the OVP latch is released
I
OVP(HYS)

8.5

mA
Static OVP Threshold Voltage
V
OVP

V
EAL
 +
100 mV

V
Undervoltage Protection (UVP) Threshold Voltage
V
UVP
0.25
0.302
0.4
V
GATE DRIVE SECTION
Gate Drive Resistance:
R
OH
 @ I
SOURCE
 = 100 mA
R
OL
 @ I
SINK
 = 100 mA
R
OH
R
OL


12
6.0
18
10
W
Drive voltage rise time from 10% V
CC
 to 90% V
CC
t
rise

30
80
ns
Drive voltage fall time from 90% V
CC
 to 10% V
CC
t
fall

25
70
ns
Driver output voltage at V
CC
 = V
CC(on)
  200 mV and I
sink
 = 10 mA
V
OUT(start)


0.2
V
3.  Parameter values are valid for transient conditions only.
4.  Parameter characterized and guaranteed by design, but not tested in production.
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